IT之家8月14日消息，据科技媒体Wccftech报道，三星将重新规划一座正在建设中的生产线，用于制造HBM（高带宽内存）的基础裸片。据业内人士消息，该生产线将采用2nm尖端制程工艺，预计两年后投入使用，未来仍存在调整可能。
HBM基础裸片在HBM3和HBM3E时代首次出现重大变化，各厂商开始使用20nm至12nm不等的逻辑制程制造基础裸片。HBM4采用性能更强的总线和更多硅通孔（TSV），基础裸片进一步升级，台积电和三星晶圆代工等厂商开始承担制造工作。
除三星外，SK海力士也与台积电合作生产HBM芯片，后者提供N12及N5工艺。三星此次推进2nm制程，延续自研4nm HBM4路线，与对手展开竞争。