长鑫科技第五代技术平台量产，晶圆产出提升50%以上

据IT之家9月21日早报，长鑫科技宣布第五代技术平台正式量产。

该平台将内存阵列有源区半间距做到11.95纳米，存储器电容深宽比45:1，核心动能区高度降至6762纳米。长鑫科技称，第五代工艺平台的存储密度大幅提升，同等条件下每张晶圆的产出与上一代平台相比提升50%以上。

产品方面，24GB LPDDR5X全面进入国产主流旗舰手机。