8月12日，铠侠与闪迪共同宣布推出第九代高性能2Tb QLC 3D闪存，该技术面向AI基础设施及数据密集型应用，旨在应对AI工作负载带来的存储需求增长。
第九代QLC技术采用两家公司的CMOS直接键合阵列（CBA）架构，将先进CMOS晶圆与成熟存储单元阵列结合。与前代第八代2Tb QLC产品相比，新技术引入6平面架构及多项性能增强设计，实现更高读写带宽并改善功耗效率。其NAND接口速度达到4.8Gb/s，较第八代器件提升33%。
铠侠首席技术官宫岛英史表示，AI应用正从生成式AI向智能体和物理AI扩展，公司通过结合成熟存储单元技术与最新CMOS技术加速第九代闪存开发。闪迪首席技术官Alper Ilkbahar称，AI快速普及加速存储接口迭代，第九代QLC展示了CBA架构在分别推进CMOS和存储技术创新方面的灵活性。