10月10日，长鑫存储总裁曹堪宇博士在第四届集成芯片和芯粒大会上发表演讲，介绍长鑫存储在DRAM器件、4F²架构及混合键合等方向的技术探索与积累，并官宣预计年底将推出融合上述先进技术的新一代DDR5 RDIMM产品。
据曹堪宇介绍，长鑫自成立以来就启动了4F²的研究和专利布局，公开专利族超300件，数量领先海内外厂商；2021年发布大陆首篇4F²架构相关论文，并在2023年、2025年两篇论文中分享该架构的研发进展。
当前行业主流DRAM单元为6F²架构，4F²意味着每个单元仅占4倍最小特征尺寸的平方；从6F²到4F²的跨越使原有工艺无法直接复用，需要全新器件与工艺体系。长鑫在研发中优化了字线金属化、位线成型以及结激活等关键工艺。
DDR5 RDIMM是服务器市场的主流配置，此次演讲未提及长鑫即将推出的DDR5 RDIMM的规格信息和发布时间。